40 CFR Table I-3 to Subpart I of Part 98: Table I-3 to Subpart I of Part 98—Default Emission Factors (1-Uij) for Gas Utilization Rates (Uij) and By-Product Formation Rates (Bijk) for Semiconductor Manufacturing for 150 mm and 200 mm Wafer Sizes

Table I-3 to Subpart I of Part 98—Default Emission Factors (1-Uij) for Gas Utilization Rates (Uij) and By-Product Formation Rates (Bijk) for Semiconductor Manufacturing for 150 mm and 200 mm Wafer Sizes

Process type/sub-type Process gas i

CF4 C2 F6 CHF3 CH2 F2 C2 HF5 CH3 F C3 F8 C4 F8 NF3 SF6 C4 F6 C5 F8 C4 F8 O

Etching/Wafer Cleaning

1-Ui 0.73 0.72 0.51 0.13 0.064 0.70 NA 0.14 0.19 0.55 0.083 0.072 NA

BCF4 NA 0.10 0.085 0.079 0.077 NA NA 0.11 0.0040 0.13 0.095 NA NA

BC2 F6 0.041 NA 0.035 0.025 0.024 0.0034 NA 0.037 0.025 0.11 0.073 0.014 NA

BC4 F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

BC3 F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

BCHF3 0.091 0.047 NA 0.049 NA NA NA 0.040 NA 0.0012 0.066 0.0039 NA

Chamber Cleaning

In situ plasma cleaning

1-Ui 0.92 0.55 NA NA NA NA 0.40 0.10 0.18 NA NA NA 0.14

BCF4 NA 0.19 NA NA NA NA 0.20 0.11 0.14 NA NA NA 0.13

BC2 F6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA 0.045

BC3 F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

Remote plasma cleaning

1-Ui NA NA NA NA NA NA NA NA 0.028 NA NA NA NA

BCF4 NA NA NA NA NA NA NA NA 0.015 NA NA NA NA

BC2 F6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

BC3 F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

BF2 NA NA NA NA NA NA NA NA 0.5 NA NA NA NA

In situ thermal cleaning

1-Ui NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

BCF4 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

BC2 F6 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

BC3 F8 NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA NA

Notes: NA = Not applicable; i.e., there are no applicable default emission factor measurements for this gas. This does not necessarily imply that a particular gas is not used in or emitted from a particular process sub-type or process type.